• Нов
Lexar 500GB High Speed PCIe Gen 4X4 M.2 NVMe, up to 4400 MB/s read and 1700 MB/s write - 1
search
  • Lexar 500GB High Speed PCIe Gen 4X4 M.2 NVMe, up to 4400 MB/s read and 1700 MB/s write - 1
  • Lexar 500GB High Speed PCIe Gen 4X4 M.2 NVMe, up to 4400 MB/s read and 1700 MB/s write - 2
80,11 лв.
Без данък
Lexar 500GB High Speed PCIe Gen 4X4 M.2 NVMe, up to 4400 MB/s read and 1700 MB/s write
Нов
available

redeem
С покупката на този продукт можете да съберете до 8 точки за клиентска лоялност . Вашата количка ще съдържа общо 8 точки които могат да бъдат конвертирани във ваучер за 1,60 лв. .


help_outlineНаправи запитване за продукта
Lexar 500GB High Speed PCIe Gen 4X4 M.2 NVMe, up to 4400 MB/s read and 1700 MB/s write

Lexar 500GB High Speed PCIe Gen 4X4 M.2 NVMe, up to 4400 MB/s read and 1700 MB/s write

Lexar 500GB High Speed PCIe Gen 4X4 M.2 NVMe, up to 4400 MB/s read and 1700 MB/s write

Съгласен съм Общи условия rules  

LEXAR
LNQ710X500G-RNNNG

Техническо описание

Форм фактор
M.2 22x80mm
Ширина
22 мм
Височина
2.45 мм
Дълбочина
80 мм
Номинално тегло
6 г
Гаранционни продукти - подлежащи на връщане
Да
Гаранционни условия (месец)
36 мес.
Критерии за валидност на гаранцията
Сериен номер
Тегло на пакет - Бруто (кг)
0.01 кг
Брой в пакет
1
Тегло на кашон - Бруто (кг)
0.01 кг
Пакети в кашон
1
EAN код
843367132287
Външен цвят
Черен
Макс. околна температура в изключен режим
85 °C
Мин. неработна околна температура
-40 °C
Тип пакет
С опаковка
Retail Packaging Net Weight Carton
0.001 кг
Retail Packaging Net Weight Plastic
0.001 кг
Включени аксесоари
Документация
Тегло на пакет - Нето (кг)
0.006 кг
Технология на паметта
3D NAND
Капацитет на устройство за съхранение на данни
500 GB
Максимална температура на околната среда
70 °C
Минимална температура на околната среда
0 °C
Разположение на устройството
Plug-in Module
Поддържан канал за данни
NVMe PCIe® Gen4
Средно време между повреди
1500000 ч.
Ударо устойчивост при работа
1500G @ 0.5ms
Толеранс за вибрации при работа
20G @10-2000Hz
Maximum Sequential Read Rate
4400 MB/s
Технология на флаш памет
Single-Level Cell
Maximum Sequential Write Rate
1700 MB/s
Total Bytes Written (TBW)
170 TB
Нов
Коментари (0)
Все още няма отзиви от клиенти.
Menu

Уаертех използва „бисквитки“ („кукита“), за да ти предостави възможно най-доброто потребителско изживяване. Продължавайки да разглеждаш Wyertech.com, ти се съгласяваш с използването на бисквитки съгласно Политика за бисквитки