• New
  • Out-of-Stock
LEXAR NM800 512GB High Speed PCIe Gen 4 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 7000 MB/s read and 3000 MB/s write - 1
search
  • LEXAR NM800 512GB High Speed PCIe Gen 4 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 7000 MB/s read and 3000 MB/s write - 1
  • LEXAR NM800 512GB High Speed PCIe Gen 4 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 7000 MB/s read and 3000 MB/s write - 2
  • LEXAR NM800 512GB High Speed PCIe Gen 4 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 7000 MB/s read and 3000 MB/s write - 3
€68.41
Tax excluded
LEXAR NM800 512GB High Speed PCIe Gen 4 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 7000 MB/s read and 3000 MB/s write
New

redeem
By buying this product you can collect up to 13 loyalty points . Your cart will contain total 13 points that can be converted into a voucher of €1.33 .


help_outlineAsk about product
LEXAR NM800 512GB High Speed PCIe Gen 4 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 7000 MB/s read and 3000 MB/s write

LEXAR NM800 512GB High Speed PCIe Gen 4 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 7000 MB/s read and 3000 MB/s write

LEXAR NM800 512GB High Speed PCIe Gen 4 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 7000 MB/s read and 3000 MB/s write

I accept privacy policy rules  

LEXAR
LNM800X512G-RNNNG

Data sheet

Форм фактор
M.2
Ширина
22 мм
Височина
2.45 мм
Дълбочина
80 мм
Номинално тегло
0.009 кг
Гаранционни продукти - подлежащи на връщане
Да
Гаранционни условия (месец)
60 мес.
Критерии за валидност на гаранцията
Сериен номер
Тегло на пакет - Бруто (кг)
0.01 кг
Брой в пакет
1
Тегло на кашон - Бруто (кг)
0.01 кг
Пакети в кашон
1
Външен цвят
Черен
Макс. работна околна температура
70 °C
Мин. работна околна температура
0 °C
Макс. околна температура в изключен режим
85 °C
Мин. неработна околна температура
-40 °C
Тип пакет
С опаковка
Retail Packaging Net Weight Carton
0.01 кг
Retail Packaging Net Weight Plastic
0.01 кг
Тегло на пакет - Нето (кг)
0.01 кг
Технология на паметта
NAND Flash
Капацитет на устройство за съхранение на данни
512 GB
Разположение на устройството
Plug-in Module
Поддържан канал за данни
PCI Express 4.0 x4
Средно време между повреди
1500000 hr
Ударо устойчивост при работа
1500G @ 0.5ms
Толеранс за вибрации при работа
20G @10-2000Hz
Maximum Sequential Read Rate
7000 MB/s
Технология на флаш памет
Triple-Level Cell
Maximum Random Read Rate
550000 IOPS
Maximum Random Write Rate
200000 IOPS
Maximum Sequential Write Rate
3000 MB/s
Solid State Drive Features
Advanced LDPC ECC Engine
Total Bytes Written (TBW)
250 TB
Drive Writes Per Day (DWPD)
0.44
New
Comments (0)
No customer reviews for the moment.
Menu

This website stores data such as cookies to enable site functionality including analytics and personalization. By using this website, you automatically accept that we use cookies.